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SUM110P08-11
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.05
0.04
10
T J = 150 °C
25 °C
0.03
150 °C
0.02
0.01
25 °C
1
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
1.1
V SD - (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
6000
V GS - (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.8
0.5
I D = 1 mA
5000
4000
3000
0.2
2000
- 0.1
1000
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.0001
0.001
0.01
0.10
1
400
T J - (°C)
Threshold Voltage
Time (sec)
Single Pulse Power, Junction-to-Case (T C = 25 °C)
1000
350
300
100
*Limited by r DS(on)
10 μ s
100 μ s
250
200
10
1 ms
10 ms
150
100
1
Single pulse
100 ms, DC
50
0
0.1
T C = 25 °C
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1 10
100
www.vishay.com
4
T C
Power Derating (Junction-to-Case)
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
*V GS > minimum V GS at which r DS(on) is specified
Safe Operating Area
Document Number: 73472
S-70309-Rev. B, 12-Feb-07
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